Çinli araştırmacılar yarının belleğinin dayanıklılığını yarı iletken atılımıyla 100 kat artırdı
South China Morning Post
🔹 Çinli araştırmacılar, yeni nesil bir bellek çipinin dayanıklılığını artıran bir yöntem geliştirdi. Yöntem, yüksek performanslı bilgi işlem ve gelecekteki yapay zekâ sistemlerinde kullanımın önündeki güvenilirlik engelini aşabilir.
🔹 Ekip, verileri depolamak için iki elektrik durumu arasında geçiş yapabilen wurtzit ferroelektriklerinde 10 milyardan fazla yazma döngüsü gösterdi. Bu sonuç, aynı malzemeyle daha önce elde edilen dayanıklılığın yaklaşık 100 katına çıktı.
🔹 Araştırmayı Xidian Üniversitesi yürüttü; City University of Hong Kong ve Fudan Üniversitesi çalışmaya katkı sağladı. Araştırma, Science dergisinde yayımlandı.
🔹 Alüminyum skandiyum nitrür (AlScN) gibi wurtzit ferroelektrikleri hızlı anahtarlama ve düşük enerji tüketimi potansiyeli taşıyor. AlScN, mevcut yarı iletken üretim süreçleriyle de uyumlu.
🔹 AlScN cihazları daha önce yaklaşık 100 milyon yazma döngüsünün ardından arızalanıyordu. Bu dayanıklılık, ticari uygulamalar için gereken milyarlarca döngünün gerisinde kalıyordu.
🔹 Araştırmacılar, azot atomlarının eksik olduğu bölgelerin birikmesini arızaların temel nedenlerinden biri olarak belirledi. Bu kusurlar, elektrik akımının çip içinde sızmasına olanak tanıyan yollar oluşturabiliyor.
🔹 Azot boşlukları tekrarlanan elektriksel anahtarlama sırasında hareket edip kümelenebiliyor. Oluşan yollar elektrik sızıntısına ve malzemenin bozulmasına yol açabiliyor.
🔹 Ekip, azot boşluklarının hareketini sınırlayan katmanlı bir yapı tasarladı. Bu yapı, malzemenin bozulmasını önemli ölçüde yavaşlatarak 10 milyardan fazla yazma döngüsüne dayanmasını sağladı.
🔹 Bulgular hâlen laboratuvar aşamasında bulunuyor. Çalışma, yoğun ve düşük enerji tüketimli bellek çipleri için daha dayanıklı malzemeler geliştirilmesine yönelik bir yol sunuyor.